上个月SK海力士宣布放弃子公司Solidigm在美国的首次公开募股（IPO）计划，不过考虑到人工智能（AI）时代对存储的需要大幅增长，Solidigm也迎来了新的增长机遇，为此SK海力士仍然寻求在美国获得更多生产设施，打算兴建新的NAND闪存芯片制造厂。

据TrendForce报道，SK海力士已基本敲定Solidigm在美国新建晶圆厂的位置，预计选择纽约州Marcy Nanocenter，将分阶段建设两座工厂，总投资额将达到1000亿美元。首座晶圆厂月产能为10万片12英寸晶圆，以满足AI数据中心热潮推动的NAND闪存需求。

SK海力士选择Marcy Nanocenter估计也是考虑到当地拥有完善的半导体供应链，附近有碳化硅（SiC）芯片制造商Wolfspeed，另外距离纽约州克莱约一小时车程，美光正在此处兴建新的DRAM芯片制造厂。

与此同时，SK海力士寻求中国大陆地区工厂的生产线扩建及技术升级，包括DRAM和NAND闪存，正在与美国商务部谈判。不过受制于美国政府的设备管制措施，使得这些项目难以推进。SK海力士希望利用Solidigm在美国建厂的机会，交换向中国大陆地区工厂运送新设备。

SK海力士认为这是一个双赢的举措，不但能提升NAND闪存产能满足美国市场需求，还能为Solidigm新工厂筹集资金，加快项目建设。